Low k、High k到底在幹嘛？ - ryanwu

2007年7月31日 — k值越高，電晶體之電容值也越高，使得電晶體能正確的切換於”開”或”關”狀態。 同時一種相容於High-k介電質之上的金屬閘極(Metal Gate)，Intel 於2003年提出 ...

2018年8月8日 — 優點，而其最重要的是金氧半場效電晶體較容易微縮，微縮可以使得電晶體體積. 縮小因而增加包裝電晶體數量，MOSFET有一個重要的參數是電晶體內在延遲.

2021年1月24日 — 采用金属栅的难点之一是当它们暴露在源/漏形成阶段的高温下时会熔化。但若使栅在源和漏之后形成，就会失去自对准的优点。为了避免这一难题，Intel首先形成 ...

2008年6月20日 — High k能減少閘極漏往基極的電流，可節省晶片的功耗用電，使晶片更省電運作。 High k材質既然能提供更佳的絕緣性，那麼SOI的絕緣層也可以使用，將二氧化矽 ...

若使. 用高介電係數材料(high-k materials)來當作閘極絕緣層,將可減少閘極之漏電流,這是因為在與傳統二氧. 化矽閘極絕緣層比較時,在相同的閘極電容下,高介電係數材料可有較 ...

由 陳冠任 著作 · 2009 — 所以使用高介電常數( high-k ) 的材料及使用金屬閘極來取代二氧化矽是必需的。於是使用高介電常數材料作為絕緣層，同時閘極絕緣層實際厚度與電性等效厚度便成現今所需解決 ...

2019年6月15日 — （2um以前的时代都是Metal Gate，1.5um以下的时代都是Poly Gate了)。 ... 它的优点是制程的flow几乎沿用 ... 那既然High K材质如此之好，那为什么不完全用 ...

2022年1月21日 — ... high-k／metal gate），介電層的k 值愈大，氧化層電容（Cox）愈大，電晶體電流愈大，且可在相同的等效氧化層厚度（equivalent oxide thickness, EOT ...

高介電常數金屬閘極（High-k Metal Gate, HKMG）和鰭式場效電晶體（FinFET）的結構與成份分析 · 市售IC 的橫截面TEM 影像 · (a) 40 nm 平面式HKMG · (b) 電 ...